型号1063.

WAFERMILL™离子束延迟溶液
  • 完整300毫米晶圆上的选定区域铣削
  • 自上而下的延迟
  • 暴露多个设备层和结构
  • 用于在半导体制造设施的多个区域中使用:
    - 研究与开发
    - 过程控制
    - 产量增强
    - 故障分析

CD-SEM样本制剂

通过在半导体制造工艺期间通过扫描电子显微镜测量显微镜图案化晶片特征的临界尺寸(CDS)。在常规的CD-SEM样本制剂中,从晶片中切割单独的模具,然后通过传统的离子铣削系统,一次样本制备每个样品。

使用晶圆灯具解决方案,您可以从顶部延迟到完整的晶片上的多个预选区域。整个过程完全自动化;无需手动触摸晶圆。晶圆溶液支持计量,包括CD-SEM样品制备。

晶圆溶液组件

设备前端模块(EFEM)。EFEM接收前开口统一吊舱(FOUP)并将指定的晶片传送到处理室中。EFEM包含:

  • 一个FOUP加载站,可容纳25个晶片,可直径高达300毫米。
  • 具有无源末端执行器的四轴晶片处理机器人将晶片从FOUP转移到预泵室中。
  • 预对准器以最初定向晶片,使得预先建立的位点可以是离子研磨的。

预泵房。预泵室与eFEM接口通过300mm闸阀。专用涡轮分子拖动泵抽空预泵房。

紫外线。预泵浦室包括双波长(253.7nm和184.9nm)紫外(UV)光,其在将晶片重新加载到FOUP中之前清洁晶片后离子铣削。

加载锁定。晶片通过第二300mm闸阀从预泵室到处理室移动。

处理室。晶片由静电卡盘捕获,该静电卡盘通过消除晶片中的任何弓来确保均匀铣削平面。该阶段转换为铣削位置(x和θ),允许访问晶片上的任何位置。炮塔包含三个氩离子源,可提供均匀的研磨,以及摇摆组件(120±10°)。旋转炮塔归一成铣削并避免屏幕。专用的涡轮分子阻力泵保持所需的室压力。