型号1063

WaferMill™离子束层级溶液
  • 在全300mm晶片选择区域的铣削
  • 自上而下的层级
  • 暴露多个器件层和结构
  • 对于半导体制造设备的多个领域使用:
    - 研究与开发
    - 过程控制
    - 提高产量
    - 故障分析

CD-SEM样品制备

的微观图案化的晶片的特征临界尺寸(CD)是通过在半导体制造过程中的扫描电子显微镜进行测定。在传统的CD-SEM样品制备,各个管芯被从晶片切割,然后每个试件由一传统的离子研磨系统在一个时间制备一个试样。

随着WaferMill解决方案,可以从上而下一个完整的片上型延迟多个预先选定的区域。整个过程是完全自动的;没有必要手动触摸的晶片。该WaferMill解决方案支持计量,包括CD-SEM样品制备。

WaferMill解决方案组件

设备前端模块(EFEM)。所述EFEM接收前开式盒(FOUP),并将所指定的晶片到处理室。前端模块包括:

  • 一个FOUP装载站,其保持25个晶片,可以是高达300毫米的直径。
  • 四轴晶片具有无源端部执行器操作机器人从FOUP晶片转移到预泵室。
  • 预对准到初始定向晶片,使得预先确定的位点可以是离子铣削。

预加压泵室。预泵室接口与通过300毫米闸阀的EFEM。一个专门的涡轮分子泵阻力排空预泵室。

UV光。预泵室包括一个双波长(253.7 nm和184.9纳米)的紫外线(UV),该重新加载晶片插入FOUP之前清洁晶片交离子铣削的光。

负载锁。从预泵室至处理腔室通过第二300毫米闸阀晶片移动。

处理室。晶片由静电卡盘,其中通过消除在晶片的任何弓确保均匀的研磨平面捕获。阶段转化为研磨位置(x,θ),其允许访问所述晶片上的任何位置。转台包含提供均匀的研磨3种氩离子源,以及一个摇动组件(120±10°)。旋转炮塔铣床正常化,避免垂落。一个专用的涡轮分子牵引泵维持所需腔室压力。