型号1063

WaferMill™离子束去离子束溶液
  • 选择区域铣削满300mm晶圆片
  • 自上而下的机构扁平化
  • 公开多个设备层和结构
  • 用于半导体制造设施的多个领域:
    -研究及发展
    ——过程控制
    ——产量提高
    ——故障分析

CD-SEM样品制备

在半导体制造过程中,用扫描电子显微镜测量了晶片微观图形特征的临界尺寸。在传统的CD-SEM样品制备中,从晶片上切下单个模具,然后用传统的离子研磨系统制备每个样品,一次一个样品。

使用WaferMill解决方案,您可以从上到下延迟整个晶圆上多个预先选择的区域。整个过程都是全自动的;不需要手动触摸晶圆片。WaferMill溶液支持测量,包括CD-SEM样品制备。

WaferMill解决方案组件

设备前端模块(EFEM)EFEM接收前开口的统一圆孔(FOUP)并将指定的晶圆片送入加工室。EFEM包含:

  • 一个FOUP加载台可以容纳25片直径可达300毫米的晶圆。
  • 带有被动末端执行器的四轴晶片搬运机器人将晶片从FOUP转移到预泵腔。
  • 预对准器对晶圆片进行初始定位,以便对预先确定的位置进行离子研磨。

Pre-pump室。预泵室通过一个300mm的闸阀与EFEM接口。专用的涡轮分子阻力泵对预泵室进行抽气。

紫外线。预泵腔包括双波长(253.7 nm和184.9 nm)紫外(UV)光,用于在将晶圆重新装入FOUP之前清洗晶圆后离子磨片。

负载锁定。晶片从预泵室通过第二个300毫米闸阀进入工艺室。

处理室。晶片采用静电吸盘捕捉,消除晶片内任何弓形,确保晶片铣削平面均匀。工作台转换为铣削位置(x和摩擦角),允许进入晶圆片上的任何位置。炮塔包含三个氩离子源,提供均匀的铣削,以及摇动组件(120±10°)。旋转炮塔,使铣削和避免卷曲。专用的涡轮分子拖曳泵可以保持所需的腔室压力。